Tugas Mata Kuliah Elektronika Kelas B
Dosen : Darwison, M.T
Oleh
Siti Sarah Fitrianisa
1610951017
Jurusan Teknik Elektro
Fakultas Teknik
Universitas Andalas
Padang
Referensi :
1. Boylestad, R. and Nashelsky, L., 1999, “Electronic Devices and Circuit Theory”, Prentice Hall, New Jersey.
2. Hayt, W. H. and Neudeck, G. W., “Electronic Circuit Analysis and Design”, Houghton Mifflin Company, Boston.
3. Coughlin, R. F. and Driscoll F. F., 1985, “Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits”, Prentice Hall, New Jersey.
4. Paynter, R. T.,1997, ”Introductory Electronic Devices and Circuits”, Prentice Hall, New Jersey.
5. Malvino, 1985, “ Aproksimasi Rangkaian Semikonduktor: Pangantar Transistor dan Rangkaian Terpadu”, Penerbit Erlangga.
6. Mike Tooley, 2002, “ Rangkain Elektronika: Prinsip dan Aplikasi”, Penerbit Erlangga
7. Darwison, 2008, “Diktat Elektronika Analog”, Teknik Elektro – Unand, Padang.
8. Darwison, 2010, “Diktat Dasar Elektronika”, Teknik Elektro – Unand, Padang.
9. Darwison, 2010, “Panduan Praktikum Dasar Elektronika Digital”, Teknik Elektro – Unand, Padang.
BAB III
TRANSISTOR
1. Pendahuluan
Secara umum ada 2 macam jenis transistor :
1.
Bipolar adalah
transistor yang membawa muatan listrik berupa
hole dan e-. Transistor bipolar ada dua tipe yaitu NPN dan PNP
dengan simbol seperti gambar 1.1.
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 1.1 Simbol Transistor tipe (a) NPN dan (b) PNP
2.
Unipolar adalah transistor yang membawa muatan listrik berupa hole atau e-. Transistor unipolar ada dua tipe yaitu channel n dan Channel p dengan simbol seperti gambar 1.2.
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 1.2 Simbol Transistor tipe (a) Channel
n dan (b) Channel p
Lebih
rinci ada macam-macam transistor seperti blok diagram gambar 1.3
Gambar 1.3 Blok
diagram macam-macam Transistor
2. Transistor PNP dan NPN
Transistor NPN merupakan persambungan tiga
susunan lapisan bahan semikonduktor yaitu bahan n, bahan p, dan bahan n
sedangkan transistor PNP merupakan persambungan tiga susunan lapisan bahan
semikonduktor yaitu bahan p, bahan n, dan bahan p seperti gambar 2.1.
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 2.1 Konstruksi Transistor (a) PNP (b) NPN
Adapun aliran majority
carriers dan minority carriers
pada transistor PNP adalah seperti gambar 2.2.
Gambar 2.2 Aliran majority carriers dan minority
carriers pada transistor PNP
Elektron dari emitter diteruskan ke basis adalah sangat kecil sekali
karena basis sangat tipis sehingga elektron butuh waktu untuk berdiffusi ke
dalam kolektor dan kemudian elektron diteruskan ke tegangan positif dari baterai.
Sehingga persamaan arus memakai hukum Kirchoff tentang arus yakni arus masuk
sama dengan arus keluar jadi IE
= IC + IB.
 |
 |
Gambar 2.3 Arah arus pada transistor NPN
Transistor dapat dibuat dalam tiga konfigurasi yaitu Common Emitter (CE), Common Collector (CC) , Common Base (CB). Common Emitter adalah memakai bersama kaki Emitter antara Input dan
output seperti gambar 2.4
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 2.4 Konfigurasi Common Emitter (a)
Transistor NPN (b) Transistor PNP
Pada kurva karakteristik
input dimana semakin besar VBE maka semakin besar IB.
Pada kurva karakteristik output dibagi tiga operasi yaitu:
1. daerah saturasi (saturation region)
yang artinya output menjadi cacat,
2. daerah aktif (active ragion) yang artinya output tidak cacat asalkan arus IB
berfluktuasi masih dalam daera aktif.
3. Daerah cutoff yang artinya output akan terpotong.
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 2.5 Karakteristik I-O CE (a) Karakteristik Input
(b) karakteristik output
3. Garis beban DC dan garis beban
AC
Ada dua macam garis beban, yaitu:
1. Dengan pemberian bias DC maka didapatkan kurva garis beban DC seperti
gambar 3.1
 |
 |
(a)
|
(b)
|
Gambar 3.1 (a) Bias DC dan (b) garis beban DC
2. Dengan pemberian bias AC maka didapatkan kurva garis beban AC seperti
gambar 3.2
 |
 |
|
(a)
|
(b)
|
|
Gambar 3.2 (a) Bias AC dan (b) garis beban AC
4. Pemberian bias
Ada 4 macam rangkaian pemberian bias, yaitu:
1. Fixed bias yaitu, arus bias IB didapat dari VCC yang
dihubungkan ke kaki B melewati tahanan R seperti gambar 4.1
Gambar 4.1 Rangkaian Fixed bias
2.
Emitter-Stabilized Bias adalah rangkaian Fixed bias yang ditambahkan tahanan RE
seperti gambar 4.2
Gambar 4.2 Rangkaian Emitter-Stabilized Bias
maka,
sehingga tahanan RE kalau dilihat dari
input untuk mencari arus IB adalah sebesar (β+1)RE.
3. Self Bias adalah arus input didapatkan dari pemberian tegangan input VBB seperti
gambar 4.3.
Gambar 4.3 Rangkaian Self Bias
Dengan menggunakan hukum KVL, didapat,
Untuk mencari arus IB maka dilakukan perubahan rangkaian
dengan memakai metoda thevenin sehingga menghasilkan rangkaian pengganti
seperti gambar 4.4.
dimana,
5. Contoh Soal
Tentukan tegangan bias dc Vce dan arus Ic dari konfigurasi voltage-divider pada gambar 63.
Solusi :
